2023年5月，三星电子宣布研发出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM，并计划年内实现量产。继2022年五月，三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM后，又推出了支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，预计将加速下一代存储解决方案的商用化。

CXL作为下一代内存可扩展设备，能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。由于它与主内存（main DRAM）共同使用时可扩大带宽和容量，该技术的进步有望在人工智能（AI）和机器学习（ML）等核心技术，能较好满足处理高速数据的下一代计算市场需求。

此外，作为全球HBM高带宽内存的开拓者，SK海力士不久前宣布，其已经全球率先研发出12层堆叠的HBM3内存，单颗容量就能达到24GB，并计划于下半年推出第五代HBM3E产品，明年上半年实现量产。